HALBLEITERSPEICHERVORRICHTUNGEN UND DERENHERSTELLUNGSVERFAHREN

• Main Authors: Yu, Shao-Ming, Chang, Kai-Tai, Lee, Tung Ying
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 20.10.2022
• Subjects: ELECTRICITY

Eine Halbleitervorrichtung weist eine Speicherstruktur über einem Substrat auf, wobei die Speicherstruktur eine erste Wortleitung; eine erste Bit-Leitung über der ersten Wortleitung; eine zweite Bit-Leitung über der ersten Bit-Leitung; ein Speichermaterial über Seitenwänden der ersten Bit-Leitung und der zweiten Bit-Leitung; eine erste Steuerwortleitung entlang einer ersten Seite des Speichermaterials, wobei die erste Steuerwortleitung mit der ersten Wortleitung elektrisch verbunden ist; eine zweite Steuerwortleitung entlang einer zweiten Seite des Speichermaterials, welche der ersten Seite entgegengesetzt angeordnet ist; und eine zweite Wortleitung über der zweiten Bit-Leitung, der ersten Steuerwortleitung, und der zweiten Steuerwortleitung, wobei die zweite Wortleitung mit der zweiten Steuerwortleitung elektrisch verbunden ist, aufweist. A semiconductor device includes a memory structure over a substrate, wherein the memory structure includes a first word line; a first bit line over the first word line; a second bit line over the first bit line; a memory material over sidewalls of the first bit line and the second bit line; a first control word line along a first side of the memory material, wherein the first control word line is electrically connected to the first word line; a second control word line along a second side of the memory material that is opposite the first side; and a second word line over the second bit line, the first control word line, and the second control word line, wherein the second word line is electrically connected to the second control word line.