HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG

• Main Authors: Tan, Lun-Kuang, Chiu, Ya-Wen, Cheng, Yi-Hua, Chan, Yi Che
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.12.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst die folgenden Schritte: Herstellen einer Source/Drainstruktur über einem Substrat; Herstellen einer ersten Zwischenschichtdielektrikum-Schicht (ILD-Schicht) mit einer oder mehreren dielektrischen Schichten über der Source/Drainstruktur; Erzeugen einer ersten Öffnung in der ersten ILD-Schicht, um die Source/Drainstruktur zumindest teilweise freizulegen; Herstellen einer Opferschicht auf einer Innenwand der ersten Öffnung; Herstellen einer ersten Isolierschicht auf der Opferschicht; Herstellen einer leitfähigen Schicht auf der ersten Isolierschicht, um einen Source/Drainkontakt in Kontakt mit der Source/Drainstruktur herzustellen; Entfernen der Opferschicht, um einen Zwischenraum zwischen der ersten Isolierschicht und der ersten ILD-Schicht zu erzeugen; und Herstellen einer zweiten Isolierschicht über dem Source/Drainkontakt und der ersten ILD-Schicht, um eine obere Öffnung des Zwischenraums zu verkappen, sodass ein Luftspalt entsteht. In a method of manufacturing a semiconductor device, a source/drain structure is formed over a substrate, a first interlayer dielectric (ILD) layer including one or more dielectric layers is formed over the source/drain structure, a first opening is formed in the first ILD layer to at least partially expose the source/drain structure, a sacrificial layer is formed on an inner wall of the first opening, a first insulating layer is formed on the sacrificial layer, a conductive layer is formed on the first insulating layer so as to form a source/drain contact in contact with the source/drain structure, the sacrificial layer is removed to form a space between the first insulating layer and the first ILD layer, and a second insulating layer is formed over the source/drain contact and the first ILD layer to cap an upper opening the space, thereby forming an air gap.