HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG

Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung weist eine erste Tiefgrabenisolationsstruktur (Deep Trench Isolation, DTI-Struktur) in einem Substrat auf. Die erste DTI-Struktur umfasst eine Sperrstruktur, eine dielektrische Struktur und eine Kupferstruktur. Die dielektr...

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Main Authors Su, Bo-Chang, Yeh, Yu-Lung, Chen, Yen-Hsiu, Chen, Cheng-Hsien, Chen, Yung-Hsiang
Format Patent
LanguageGerman
Published 25.11.2021
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Es wird eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung weist eine erste Tiefgrabenisolationsstruktur (Deep Trench Isolation, DTI-Struktur) in einem Substrat auf. Die erste DTI-Struktur umfasst eine Sperrstruktur, eine dielektrische Struktur und eine Kupferstruktur. Die dielektrische Struktur befindet sich zwischen der Sperrstruktur und der Kupferstruktur. Die Sperrstruktur befindet sich zwischen dem Substrat und der dielektrischen Struktur. A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a first deep trench isolation (DTI) structure within a substrate. The first DTI structure includes a barrier structure, a dielectric structure, and a copper structure. The dielectric structure is between the barrier structure and the copper structure. The barrier structure is between the substrate and the dielectric structure.
Bibliography:Application Number: DE202110107148