Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, umfassend zwei mittels einer stoffschlüssigen Verbindung mechanisch mit einander verbundene Elemente (30,33) wobei die beiden Elemente (30,33) jeweils einen Kontaktbereich (31,34) aufweisen, der mit einem korres...

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Main Author Schaffer, Dirk
Format Patent
LanguageGerman
Published 09.12.2021
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
OPTICS
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie, umfassend zwei mittels einer stoffschlüssigen Verbindung mechanisch mit einander verbundene Elemente (30,33) wobei die beiden Elemente (30,33) jeweils einen Kontaktbereich (31,34) aufweisen, der mit einem korrespondierenden Kontaktbereich (31,34) des jeweils anderen Elements (30,33) in direktem Berührungskontakt steht. Erfindungsgemäß ist mindestens einer der Kontaktbereiche (31,34) mindestens bereichsweise mit einer Hartschicht (39) versehen.
Bibliography:Application Number: DE202010212569