Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Struktur und mikroelektromechanische Struktur

• Main Authors: Reinmuth, Jochen, Boessendoerfer, Ralf
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 30.06.2022
• Subjects: MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS; TRANSPORTING

Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Struktur (4) mit den folgenden Schritten:Bilden mindestens einer ersten Isolationsschicht (31) oberhalb eines Substrats (30);Bilden einer ersten Funktionsschicht (41) auf der ersten Isolationsschicht (31), wobei die erste Funktionsschicht (41) mit Ausnehmungen (18) versehen wird, die sich über die gesamte Dicke der ersten Funktionsschicht (41) erstrecken;Bilden einer zweiten Isolationsschicht (32) auf der ersten Funktionsschicht (41);Bilden einer zweiten Funktionsschicht (42) oberhalb der zweiten Isolationsschicht (32), wobei die zweite Funktionsschicht (42) mit Ausnehmungen (26) versehen wird, die sich über die gesamte Dicke der zweiten Funktionsschicht (42) erstrecken;Bilden einer dritten Isolationsschicht (33) oberhalb der zweiten Funktionsschicht (42);Bilden einer dritten Funktionsschicht (43) auf der dritten Isolationsschicht (33), wobei ein lateraler Bereich der dritten Funktionsschicht (43) derart mit Ausnehmungen (2) strukturiert wird, dass der strukturierte laterale Bereich (25) eine bewegliche Struktur (1) definiert, wobei die erste, zweite und dritte Isolationsschicht (31, 32, 33) und die erste und zweite Funktionsschicht (41, 42) jeweils einen lateralen Bereich aufweisen, der unter dem strukturierten lateralen Bereichs (25) der dritten Funktionsschicht (43) angeordnet ist und einer senkrechten Projektion des strukturierten lateralen Bereichs (25) entspricht;Ätzen der ersten, zweiten und dritten Isolationsschicht (31, 32, 33), wobei die dritte Isolationsschicht (33) in dem lateralen Bereich der dritten Isolationsschicht (33) vollständig entfernt wird und die bewegliche Struktur (1) dadurch freigestellt wird, wobei die zweite Isolationsschicht (32) in dem lateralen Bereich zumindest teilweise entfernt wird und die erste Isolationsschicht (31) in dem lateralen Bereich zumindest teilweise entfernt wird;wobei alle Ausnehmungen (18) der ersten Funktionsschicht (41), die in dem lateralen Bereich der ersten Funktionsschicht (41) angeordnet sind, durch schmale Gräben (18) gebildet werden, deren Breite (22) kleiner ist als der doppelte senkrechte Abstand zwischen erster und dritter Funktionsschicht (41, 43), wobei die erste Funktionsschicht (41) derart gebildet wird, dass sie in dem lateralen Bereich mindestens ein elektrisch isoliertes Segment (19) aufweist, das durch Gräben (18) vom Rest der ersten Funktionsschicht (41) getrennt ist. A method for manufacturing a microelectromechanical structure. The method includes: forming a first and a second functional layer including recesses, a third functional layer, and three insulating layers situated therebetween, a structured lateral area of the third functional layer defining a movable structure, the insulating layers and the first and second functional layers each including a lateral area situated beneath the structured lateral area of the third functional layer and corresponding to a perpendicular projection of the structured lateral area; etching the insulating layers to remove the lateral area of the third insulating layer, and expose the movable structure, all recesses of the first functional layer situated in the lateral area of the first functional layer being formed by narrow trenches, the first functional layer being formed to include an electrically insulated segment in the lateral area which is separated from the remainder of the first functional layer by trenches.