Verfahren zur Bildung einer rückseitigen Langkanalstromschienenvorrichtung und zugehörige Halbleitervorrichtung

• Main Authors: Su, Huan-Chieh, Lin, Zhi-Chang, Chuang, Cheng-Chi, Wang, Chih-Hao, Yu, Li-Zhen
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 28.12.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zur Bildung eines Halbleitertransistorbauelements (100a, 100b), umfassend:Bilden einer finnenförmigen Kanalstruktur (102) über einem Substrat (140);Bilden einer ersten epitaktischen Source/Drain-Struktur (106) und einer zweiten epitaktischen Source/Drain-Struktur (108) an gegenüberliegenden Enden der finnenförmigen Kanalstruktur (102);Bilden einer Metallgate-Struktur, die die finnenförmige Kanalstruktur (102) umgibt;Entfernen des Substrats (140) teilweise von einer Rückseite des Substrats (140), um einen Rückseitenabdeckgraben zu bilden, während ein unterer Abschnitt des Substrats (140) entlang oberer Seitenwände der ersten epitaktischen Source/Drain-Struktur (106) und der zweiten epitaktischen Source/Drain-Struktur (108) als ein schützender Abstandhalter (246) verbleibt; undBilden einer dielektrischen Rückseitenabdeckung (126) in dem Rückseitenabdeckgraben. A method of forming a semiconductor transistor device. The method comprises forming a fin-shaped channel structure over a substrate and forming a first source/drain epitaxial structure and a second source/drain epitaxial structure on opposite endings of the fin structure. The method further comprises forming a metal gate structure surrounding the fin structure. The method further comprises flipping and partially removing the substrate to form a back-side capping trench while leaving a lower portion of the substrate along upper sidewalls of the first source/drain epitaxial structure and the second source/drain epitaxial structure as a protective spacer. The method further comprises forming a back-side dielectric cap in the back-side capping trench. The invention also relates to a semiconductor device.