Halbleitervorrichtungsstruktur und deren Herstellungsverfahren

• Main Authors: Cheng, Chao-Ching, Lin, Yu-Chao, Chen, Tzu-Chiang, Chiang, Hung-Li, Lee, Tung-Ying
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.10.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Halbleitervorrichtungsstruktur (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900) aufweisend:ein Substrat (110);eine erste Nanostruktur (124, 126, 128) über dem Substrat (110);einen Gatestapel (210) über dem Substrat (110), der die erste Nanostruktur (124, 126, 128) umgibt;eine erste Source/Drain-Struktur (180) und eine zweite Source/Drain-Struktur (180) über dem Substrat (110), wobei der Gatestapel (210) zwischen der ersten Source/Drain-Struktur (180) und der zweiten Source/Drain-Struktur (180) liegt;eine innere Abstandhalterschicht (160, 170), die eine Seitenwand der ersten Source/Drain-Struktur (180) bedeckt und teilweise zwischen dem Gatestapel (210) und der ersten Source/Drain-Struktur (180) liegt, wobei die erste Nanostruktur (124, 126, 128) durch die innere Abstandhalterschicht (160, 170) verläuft; undeine dielektrische Struktur (250) über dem Gatestapel (210), die sich in die innere Abstandhalterschicht (160, 170) erstreckt. A method for forming a semiconductor device structure is provided. The method includes providing a substrate, a first nanostructure, a second nanostructure, a metal gate stack, and a spacer structure. The first nanostructure is between the second nanostructure and the substrate, the metal gate stack surrounds the first nanostructure and the second nanostructure, and the spacer structure surrounds an upper portion of the metal gate stack over the second nanostructure. The method includes removing the upper portion of the metal gate stack to form a first trench in the spacer structure. The method includes removing a first portion of the second nanostructure through the first trench after removing the upper portion of the metal gate stack.