HALBLEITERVORRICHTUNG FÜR EINEN VERLUSTARMEN ANTENNENSCHALTER

• Main Authors: Yeh, Tzu-Jin, Jin, Jun-De
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 14.01.2021
• Subjects: ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird eine Halbleitervorrichtung offenbart. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, eine Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung und ein Merkmal. Die Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung ist in dem Substrat angeordnet. Das Merkmal ist neben der Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung angeordnet. Das Merkmal erstreckt sich mit einer ersten Tiefe in das Substrat hinein, und die Metall-Oxid-Halbleiter-Vorrichtung erstreckt sich mit einer zweiten Tiefe, die kleiner als die erste Tiefe ist, in das Substrat hinein. A semiconductor device includes a substrate, a first metal-oxide-semiconductor device and a at least one first resistor. The substrate includes a non-doped region. The first metal-oxide-semiconductor device extends into the substrate. The first metal-oxide-semiconductor device is adjacent to the non-doped region. The at least one first resistor is disposed right above the non-doped region and arranged in a first row aligned with the first metal-oxide-semiconductor device in a first direction.