HALBLEITERBAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN

• Main Authors: Wang, Chih-Pin, Wu, Chunting, Su, Ching-Hou
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 12.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Halbleiterbauelement weist ein erstes leitfähiges Merkmal und ein zweites leitfähiges Merkmal auf. Eine erste Passivierungsschicht befindet sich zwischen dem ersten leitfähigen Merkmal und dem zweiten leitfähigen Merkmal. Eine zweite Passivierungsschicht befindet sich zwischen dem ersten leitfähigen Merkmal und dem zweiten leitfähigen Merkmal und über der ersten Passivierungsschicht. Ein unterster Abschnitt einer Grenzfläche, an welcher die erste Passivierungsschicht mit der zweiten Passivierungsschicht in Kontakt steht, befindet sich unterhalb von 40% oder oberhalb von 60 % einer Höhe des ersten leitfähigen Merkmals. A semiconductor device includes a first conductive feature and a second conductive feature. A first passivation layer is positioned between the first conductive feature and the second conductive feature. A second passivation layer is positioned between the first conductive feature and the second conductive feature and over the first passivation layer. A lowermost portion of an interface where the first passivation layer contacts the second passivation layer is positioned below 40% or above 60% of a height of the first conductive feature.