GRENZSCHEMA FÜR INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTKREIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES INTEGRIERTEN SCHALTKREISES

• Main Authors: Chen, Te-An, Lin, Meng-Han
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 11.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein integrierter Schaltkreis weist Folgendes auf: ein Substrat mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich; eine erste Isolationsstruktur, die in dem Substrat angeordnet ist und den ersten Bereich von dem zweiten Bereich trennt; eine erste Vorrichtung, die in dem ersten Bereich angeordnet ist...