GRENZSCHEMA FÜR INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTKREIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES INTEGRIERTEN SCHALTKREISES

• Main Authors: Chen, Te-An, Lin, Meng-Han
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 11.03.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein integrierter Schaltkreis weist Folgendes auf: ein Substrat mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich; eine erste Isolationsstruktur, die in dem Substrat angeordnet ist und den ersten Bereich von dem zweiten Bereich trennt; eine erste Vorrichtung, die in dem ersten Bereich angeordnet ist; eine zweite Vorrichtung, die in dem zweiten Bereich angeordnet ist; und eine Halbleiter-Dummy-Struktur, die auf der ersten Isolationsstruktur angeordnet ist. Die Isolationsstruktur hat eine erste Oberseite und eine zweite Oberseite, die niedriger als die erste Oberseite ist. Die Halbleiter-Dummy-Struktur bedeckt einen Teil der ersten Oberseite, einen Teil der zweiten Oberseite und eine Grenze zwischen der ersten Oberseite und der zweiten Oberseite. A method for forming an integrated circuit includes following operations. A substrate is received. The substrate includes a first region, a second region and an isolation structure. The isolation structure has a first top surface, a second top surface lower than the first top surface, and a boundary between the first top surface and the second top surface. A first device is formed in the first region, a second device is formed in the second region, and a dummy structure is formed on a portion of the first top surface, a top of the second top surface and the boundary. A dielectric structures is formed over the substrate. Top surfaces of the dielectric structure, the first device, the second device and the dummy structure are aligned with each other. A first metal gate is formed in the first device, and a second metal gate is formed in the second device.