GRENZSCHEMA FÜR INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTKREIS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES INTEGRIERTEN SCHALTKREISES
Ein integrierter Schaltkreis weist Folgendes auf: ein Substrat mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich; eine erste Isolationsstruktur, die in dem Substrat angeordnet ist und den ersten Bereich von dem zweiten Bereich trennt; eine erste Vorrichtung, die in dem ersten Bereich angeordnet ist...
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Format | Patent |
Language | German |
Published |
11.03.2021
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Summary: | Ein integrierter Schaltkreis weist Folgendes auf: ein Substrat mit einem ersten Bereich und einem zweiten Bereich; eine erste Isolationsstruktur, die in dem Substrat angeordnet ist und den ersten Bereich von dem zweiten Bereich trennt; eine erste Vorrichtung, die in dem ersten Bereich angeordnet ist; eine zweite Vorrichtung, die in dem zweiten Bereich angeordnet ist; und eine Halbleiter-Dummy-Struktur, die auf der ersten Isolationsstruktur angeordnet ist. Die Isolationsstruktur hat eine erste Oberseite und eine zweite Oberseite, die niedriger als die erste Oberseite ist. Die Halbleiter-Dummy-Struktur bedeckt einen Teil der ersten Oberseite, einen Teil der zweiten Oberseite und eine Grenze zwischen der ersten Oberseite und der zweiten Oberseite.
A method for forming an integrated circuit includes following operations. A substrate is received. The substrate includes a first region, a second region and an isolation structure. The isolation structure has a first top surface, a second top surface lower than the first top surface, and a boundary between the first top surface and the second top surface. A first device is formed in the first region, a second device is formed in the second region, and a dummy structure is formed on a portion of the first top surface, a top of the second top surface and the boundary. A dielectric structures is formed over the substrate. Top surfaces of the dielectric structure, the first device, the second device and the dummy structure are aligned with each other. A first metal gate is formed in the first device, and a second metal gate is formed in the second device. |
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Bibliography: | Application Number: DE202010100603 |