HALBLEITERSICHERUNGSSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITERSICHERUNGSSTRUKTUR

• Main Authors: Hall, Jefferson W, Allman, Derryl
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 08.04.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES

Eine Halbleitervorrichtung mit einer Sicherungsstruktur schließt einen Bereich aus Halbleitermaterial mit einer Hauptoberfläche ein. Ein dielektrischer Bereich befindet sich über der Hauptoberfläche. Ein erster Sicherungsanschluss befindet sich über einem ersten Teil des dielektrischen Bereichs, ein zweiter Sicherungsanschluss befindet sich über einem zweiten Teil des dielektrischen Bereichs und von dem ersten Sicherungsanschluss beabstandet, um einen Spaltbereich bereitzustellen, und ein Sicherungskörper über einem dritten Teil des dielektrischen Bereichs ist zwischen dem ersten Sicherungsanschluss und dem zweiten Sicherungsanschluss angeordnet und mit ihnen verbunden. Eine erste Blindstruktur befindet sich über dem dielektrischen Bereich in dem Spaltbereich auf einer ersten Seite des Sicherungskörpers, wobei die Blindstruktur von dem Sicherungskörper, dem ersten Sicherungsanschluss und dem zweiten Sicherungsanschluss beabstandet und elektrisch isoliert ist. Die Blindstruktur ist dazu konfiguriert, das Vorliegen von oder die Wirkungen von Defekten, wie Rissen oder Hohlräumen, die von der Sicherungsstruktur ausgehen können, zu reduzieren. The invention relates to a semiconductor fuse structure and a method of manufacturing the same. The semiconductor device having the fuse structure includes a region of semiconductor material having amajor surface. A dielectric region is over the major surface. A first fuse terminal is over a first portion of the dielectric region, a second fuse terminal is over a second portion of the dielectricregion and is spaced apart from the first fuse terminal to provide a gap region, and a fuse body is over a third portion of the dielectric region, is interposed between the first fuse terminal and thesecond fuse terminal and is connected to the first fuse terminal and the second fuse terminal. A dummy structure is over the dielectric region in the gap region and is at the first side of the fuse body, and the dummy structure is spaced apart from and electrically isolated from the fuse body, the first fuse terminal, and the second fuse terminal. The dummy structure is configured to reduce the presence of defects, such as cracks or voids that may originate from the fuse structure, or to reduce the effects of defects.