Zwischenverbindungen mit Dornschnitten mit variablem Raum gebildet durch Blockstrukturierung

• Main Authors: Srivastava, Ravi Prakash, Zang, Hui, Shu, Jiehui
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 21.11.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zum Herstellen einer Verbindungsstruktur. Eine Hartmaske wird über einer dielektrischen Zwischenschicht abgeschieden und eine Blockmaske wird gebildet, die einen Bereich auf der Hartmaske bedeckt. Über der Blockmaske und der Hartmaske wird eine Opferschicht gebildet, und die Opferschicht wird strukturiert, um einen Dorn zu bilden, der sich quer zur Blockmaske erstreckt. Methods of fabricating an interconnect structure. A hardmask is deposited over an interlayer dielectric layer, and a block mask is formed that covers an area on the hardmask. A sacrificial layer is formed over the block mask and the hardmask, and the sacrificial layer is patterned to form a mandrel that extends across the block mask.