Selbstausgerichtete Mehrfachstrukturierungsprozesse mit geschichteten Dornen

• Main Authors: Liu, Jingping, Wang, Xiaohan, Zang, Hui, Shu, Jiehui, Fang, Qiang, Sun, Zhiguo
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 17.10.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren der selbstausgerichteten Mehrfachstrukturierung und Strukturen, die durch die selbstausgerichtete Mehrfachstrukturierung gebildet werden. Eine Dornlinie wird aus einer ersten Dornschicht, die auf einer Hartmaske angeordnet ist, und einer zweiten Dornschicht, die über der ersten Dornschicht angeordnet ist, strukturiert. Ein erster Abschnitt der zweiten Dornschicht der Dornlinie wird entfernt, um einen ersten Abschnitt der ersten Dornschicht freizulegen. Der erste Abschnitt der ersten Dornschicht ist maskiert und die zweiten Abschnitte der zweiten Dornschicht und die darunter liegenden zweiten Abschnitte der ersten Dornschicht werden entfernt, um erste Abschnitte der Hartmaske freizulegen. Die ersten Abschnitte der Hartmaske werden dann mit einem Ätzprozess entfernt, um in der Hartmaske einen Graben zu bilden. Während des Ätzprozesses wird ein zweiter Abschnitt der Hartmaske durch den ersten Abschnitt der ersten Dornschicht maskiert, um einen Schnitt im Graben zu bilden. Methods of self-aligned multiple patterning and structures formed by self-aligned multiple patterning. A mandrel line is patterned from a first mandrel layer disposed on a hardmask and a second mandrel layer disposed over the first mandrel layer. A first section of the second mandrel layer of the mandrel line is removed to expose a first section of the first mandrel layer. The first section of the first mandrel layer is masked, and the second sections of the second mandrel layer and the underlying second portions of the first mandrel layer are removed to expose first portions of the hardmask. The first portions of the hardmask are then removed with an etching process to form a trench in the hardmask. A second portion of the hardmask is masked by the first portion of the first mandrel layer during the etching process to form a cut in the trench.