Strahlungsemittierender Halbleiterchip

• Main Authors: Lex, Andreas, Heckelmann, Stefan
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 10.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (7) angegeben, die die folgenden Merkmale umfasst:- einen ersten dotierten Bereich (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps,- einen zweiten dotierten Bereich (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps,- einen aktiven Bereich (1), der zwischen dem ersten dotierten Bereich (2) und dem zweiten dotierten Bereich (3) angeordnet und dazu eingerichtet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen,- mindestens eine erste Blockadeschicht (5), die im ersten dotierten Bereich (2) angeordnet ist und entsprechend dem ersten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, und- mindestens eine zweite Blockadeschicht (6), die im zweiten dotierten Bereich (3) angeordnet ist und entsprechend dem zweiten Leitfähigkeitstyp dotiert ist, wobei- die erste Blockadeschicht (5) und/oder die zweite Blockadeschicht (6) eine Migration von Kristalldefekten (4) in den aktiven Bereich (1) zumindest verringern. The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip having an epitaxial semiconductor layer sequence (7), which comprises the following features: * - a first doped region (2) of a first conductance type, * - a second doped region (3) of a second conductance type, * - an active region (1) which is arranged between the first doped region (2) and the second doped region (3) and which is designed to generate electromagnetic radiation, * - at least one first blockade layer (5) which is arranged in the first doped region (2) and is doped according to the first conductance type, and/or * - at least one second blockage layer (6) which is arranged in the second doped region (3) and is doped according to the second conductance type, wherein * - the first blockade layer (5) and/or the second blockade layer (6) at least reduce(s) a migration of crystal defects (4) in the active region (1).