LICHTEMITTIERENDE HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR DIESELBE

• Main Authors: Kim, Joosung, Kim, Yongil, Tak, Youngjo, Seo, Jonguk, Lee, Donggun
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 24.09.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung (10) umfasst eine Halbleiterschicht (113) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine Aktivschicht (115), die einen Abschnitt der Halbleiterschicht (113) des ersten Leitfähigkeitstyps bedeckt; und eine Halbleiterschicht (117) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die einen Abschnitt der Aktivschicht (115) bedeckt, und Seitenwände der Halbleiterschicht (117) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind von Seitenwänden der Aktivschicht (115) entlang einer horizontalen Richtung beabstandet. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, the method including forming a first conductivity-type semiconductor layer on a substrate; forming an active layer on the first conductivity-type semiconductor layer; forming a mask layer having an opening on the active layer; growing a second conductivity-type semiconductor layer through the opening; removing the mask layer; removing a portion of the active layer and a portion of the first conductivity-type semiconductor layer that do not overlap the second conductivity-type semiconductor layer; and removing a portion of the first conductivity-type semiconductor layer to expose the substrate.