VERTIKALE SPEICHERZELLEN

• Main Authors: Huang, Cheng-Ying, Phan, Anh, Morrow, Patrick, Mannebach, Ehren, Lilak, Aaron D, Rachmady, Willy, Dewey, Gilbert, Ma, Sean T, Sharma, Abhishek, Jun, Kimin, Yoo, Hui Jae
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 18.06.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ausführungsbeispiele beschreiben hierin Techniken für ein Halbleiterbauelement, das eine Speicherzelle vertikal über einem Substrat umfasst. Die Speicherzelle umfasst einen Metall-Isolator-Metall- (MIM-) Kondensator an einem unteren Bauelementabschnitt und einen Transistor an einem oberen Bauelementabschnitt über dem unteren Bauelementabschnitt. Der MIM-Kondensator umfasst eine erste Platte und eine zweite Platte, die von der ersten Platte durch eine Kondensatordielektrikumsschicht getrennt ist. Die erste Platte umfasst eine erste Gruppe von Metallkontakten, die mit einer Metallelektrode vertikal über dem Substrat gekoppelt sind. Die erste Gruppe von Metallkontakten befindet sich innerhalb einer oder mehrerer Metallschichten über dem Substrat in einer horizontalen Richtung parallel zu einer Oberfläche des Substrats. Ferner ist die Metallelektrode der ersten Platte des MIM-Kondensators auch eine Source-Elektrode des Transistors. Andere Ausführungsbeispiele können beschrieben und/oder beansprucht sein. Embodiments herein describe techniques for a semiconductor device including a memory cell vertically above a substrate. The memory cell includes a metal-insulator-metal (MIM) capacitor at a lower device portion, and a transistor at an upper device portion above the lower device portion. The MIM capacitor includes a first plate, and a second plate separated from the first plate by a capacitor dielectric layer. The first plate includes a first group of metal contacts coupled to a metal electrode vertically above the substrate. The first group of metal contacts are within one or more metal layers above the substrate in a horizontal direction in parallel to a surface of the substrate. Furthermore, the metal electrode of the first plate of the MIM capacitor is also a source electrode of the transistor. Other embodiments may be described and/or claimed.