Mikroskopisches System zur Prüfung von Strukturen und Defekten auf EUV-Lithographie-Photomasken

• Main Authors: Phiesel, Christoph Sebastian, Missalla, Thomas, Biermanns-Föth, Andreas, Lebert, Rainer, Piel, Christian
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 26.08.2021
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; MEASURING; OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS; OPTICS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; TESTING; TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES ORSTRUCTURES; TESTING STRUCTURES OR APPARATUS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR

Mikroskopisches System zur Überprüfung von Strukturen und Defekten auf EUV-Lithographie-Photomasken (6), umfassend:- eine eigenständige plasmabasierte EUV-Strahlungsquelle (1) mit einem Emissionsspektrum, das wenigstens eine dominierende freistehende schmalbandige Linienemission (2) im EUV-Spektralbereich von 12,5 bis 14,5 nm enthält, wobei die schmalbandige Linienemission (2) eine relative Bandbreite von λ/Δλ > 1000 aufweist,- Mittel (3a, 3b) zur Breitband-Spektralfilterung mit einer relativen Bandbreite von λ/Δλ < 50 zum Auswählen der dominierenden freistehenden Linienemission (2) aus dem Emissionsspektrum des EUV-Spektralbereichs,- Mittel (4) zum Unterdrücken von Strahlung außerhalb des EUV-Spektralbereichs, wobei mindestens Strahlung mit Wellenlängen größer als 20 nm unterdrückt ist,- Mittel (5) zum Beleuchten eines strukturierten Objekts (6), das die schmalbandige Linienemission (2) reflektiert,- eine Zonenplattenoptik (7) zur vergrößerten Abbildung des Objekts (6), die eine Auflösung, die der Breite einer äußersten Zone der Zonenplattenoptik (7) von mindestens 100 nm entspricht, und eine numerische Apertur aufweist, die mehr als 1000 Zonen entspricht, und- ein EUV-empfindliches zweidimensionales Detektorarray (8) zur Aufnahme der vergrößerten Abbildung des strukturierten Objekts (6). A microscope system for flexibly, efficiently and quickly inspecting patterns and defects on extreme ultraviolet (EUV) lithography photomasks. The system includes a stand-alone plasma-based EUV radiation source with an emission spectrum with a freestanding line emission in the spectral range from 12.5 nm to 14.5 nm has a relative bandwidth of λ/Δλ>1000, means for the broadband spectral filtering λ/Δλ<50 for selecting the dominant freestanding emission line, means for suppressing radiation with wavelengths outside of the EUV spectral region, zone plate optics for magnified imaging of the object with a resolution which corresponds to the width of an outermost zone of the zone plate, a numerical aperture corresponding to more than 1000 zones, and a EUV detector array for capturing the patterned object.