Verfahren zur generativen Herstellung von SiC-haltigen Strukturen
Die vorliegende Erfindung betrifft ein, insbesondere generatives, Verfahren zur Herstellung SiC-haltiger Strukturen, welche durch einen wiederholten und/oder andauernden Energieeintrag durch mindestens eine Strahlungsquelle in ein Precursormaterial erhalten werden. The invention relates to an in par...
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Format | Patent |
Language | German |
Published |
04.03.2021
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