Verfahren zur generativen Herstellung von SiC-haltigen Strukturen
Die vorliegende Erfindung betrifft ein, insbesondere generatives, Verfahren zur Herstellung SiC-haltiger Strukturen, welche durch einen wiederholten und/oder andauernden Energieeintrag durch mindestens eine Strahlungsquelle in ein Precursormaterial erhalten werden. The invention relates to an in par...
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Format | Patent |
Language | German |
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04.03.2021
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Summary: | Die vorliegende Erfindung betrifft ein, insbesondere generatives, Verfahren zur Herstellung SiC-haltiger Strukturen, welche durch einen wiederholten und/oder andauernden Energieeintrag durch mindestens eine Strahlungsquelle in ein Precursormaterial erhalten werden.
The invention relates to an in particular additive method for the manufacture of SiC-containing structures that are obtained by repeated and/or continuous energy input into a precursor material from at least one radiation source. |
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Bibliography: | Application Number: DE201910123100 |