Rückseiten-Gate-Einstellschaltungen

Die vorliegende Offenbarung betrifft generell Halblefterstrukturen und insbesondere Rückseiten-Gate-Einstellschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung. Das Verfahren umfasst das Anlegen einer Spannung an ein Rückseiten-Gate eines Bauelements; und selektives Steuern der angelegten Spannung zur De...

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Main Authors Höntschel, Jan, Jüttner, Maximilian, Otto, Michael
Format Patent
LanguageGerman
Published 08.08.2019
Subjects
BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
ELECTRICITY
PULSE TECHNIQUE
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Summary:Die vorliegende Offenbarung betrifft generell Halblefterstrukturen und insbesondere Rückseiten-Gate-Einstellschaltungen und Verfahren zu deren Herstellung. Das Verfahren umfasst das Anlegen einer Spannung an ein Rückseiten-Gate eines Bauelements; und selektives Steuern der angelegten Spannung zur Deaktivierung mindestens einer Einfangstelle in einer isolierenden Schicht des Bauelements, um einen Rauschbeitrag aus der mindestens einen Einfangstelle zu reduzieren. The present disclosure generally relates to semiconductor structures and, more particularly, to back gate tuning circuits and methods of manufacture. The method includes applying a voltage to a back gate of a device; and selectively controlling the applied voltage to deactivate at least one trap within an insulating layer of the device to reduce noise contribution from the at least one trap.
Bibliography:Application Number: DE201810208456