Speicherstruktur mit nicht-flüchtiger Speicherfähigkeit und Verfahren zum Betreiben derselben

• Main Author: Bossu, Germain
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 20.09.2018
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Die vorliegende Offenbarung stellt eine Speicherzelle oder eine Speicherstruktur mit einem Funktionsverhalten ähnlich zu einem statischen RAM bereit, wobei dennoch eine nicht-flüchtige Speicherfähigkeit auf Einzelbitbasis bereitgestellt wird. Dazu wird ein nicht-flüchtiges Speicherelement, etwa ein...