Speicherstruktur mit nicht-flüchtiger Speicherfähigkeit und Verfahren zum Betreiben derselben

• Main Author: Bossu, Germain
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 20.09.2018
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

Die vorliegende Offenbarung stellt eine Speicherzelle oder eine Speicherstruktur mit einem Funktionsverhalten ähnlich zu einem statischen RAM bereit, wobei dennoch eine nicht-flüchtige Speicherfähigkeit auf Einzelbitbasis bereitgestellt wird. Dazu wird ein nicht-flüchtiges Speicherelement, etwa ein ferroelektrisches Transistorelement, in einer Inverterstruktur vorgesehen, so dass die Speicherung eines Logikzustands in einer beliebigen, gewünschten Funktionsphase ermöglicht wird, indem die Spannungsdifferenz, die zum Betreiben der Inverterstruktur verwendet wird, erhöht wird. In anschaulichen Ausführungsformen kann der gespeicherte Logikzustand während eines Einschaltereignisses wiederhergestellt werden. The present disclosure provides a storage cell or storage structure having a static RAM-like operational behavior while nevertheless providing non-volatile storage capability on a single bit basis. To this end, a non-volatile storage element, such as a ferroelectric transistor element, may be provided within an inverter structure so as to allow the storage of a logic state at any desired operational phase by increasing the voltage difference used for operating the inverter structure. In illustrative embodiments, the stored logic state may be re-established during a power-up event.