OBERFLÄCHENÄNDERUNGSSCHICHT ZUM BILDEN EINES LEITENDEN MERKMALS

• Main Authors: Lian, Jian-Jou, Huang, Kuo-Bin, Chen, Li-Min, Yang, Neng-Jye
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.04.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ausführungsformen, die hierin beschrieben sind, betreffen im Allgemeinen Verfahren zum Bilden eines leitenden Merkmals in einer dielektrischen Schicht bei Halbleiterverarbeitung und Strukturen, die dadurch gebildet werden. Bei einigen Ausführungsformen weist eine Struktur eine dielektrische Schicht über einem Substrat, eine Oberflächenänderungsschicht und ein leitfähiges Merkmal auf. Die dielektrische Schicht hat eine Seitenwand. Die Oberflächenänderungsschicht liegt entlang der Seitenwand, und die Oberflächenänderungsschicht weist Phosphor und Kohlenstoff auf. Das leitende Element liegt entlang der Oberflächenänderungsschicht. Embodiments described herein relate generally to methods for forming a conductive feature in a dielectric layer in semiconductor processing and structures formed thereby. In some embodiments, a structure includes a dielectric layer over a substrate, a surface modification layer, and a conductive feature. The dielectric layer has a sidewall. The surface modification layer is along the sidewall, and the surface modification layer includes phosphorous and carbon. The conductive feature is along the surface modification layer.