PLATTENBAUWEISE ZUM VERRINGERN VON RAUSCHEN IN HALBLEITERBAUELEMENTEN

• Main Authors: Huang, Shih-Fen, Liu, Ruey-Hsin, Chu, Fu-Yu, Cheng, Chih-Chang, Lei, Ming-Ta
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es sind ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Bildung des Halbleiterbauelements bereitgestellt. In einigen Ausführungsformen umfasst ein Halbleitersubstrat einen Bauelementbereich. Eine Isolationsstruktur erstreckt sich seitlich auf einem geschlossenen Weg zur Eingrenzung des Bauelementbereichs. Ein erster Source/Drain-Bereich und ein zweiter Source/Drain-Bereich sind im Bauelementbereich angeordnet und seitlich beabstandet. Eine Seitenwand des ersten Source/Drain-Bereichs kontaktiert die Isolationsstruktur direkt an einer ersten Isolationsstrukturseitenwand, und übrige Seitenwände des ersten Source/Drain-Bereichs sind in einem Abstand von der Isolationsstruktur angeordnet. Ein selektiv leitender Kanal ist im Bauelementbereich angeordnet und erstreckt sich seitlich vom ersten Source/Drain-Bereich zum zweiten Source/Drain-Bereich. Eine Platte umfasst einen zentralen Abschnitt und einen ersten peripheren Abschnitt. Der zentrale Abschnitt liegt über dem selektiv leitenden Kanal, und der erste periphere Abschnitt steht vom zentralen Abschnitt in Richtung der ersten Isolationsstrukturseitenwand ab. A semiconductor device and method for forming the semiconductor device are provided. In some embodiments, a semiconductor substrate comprises a device region. An isolation structure extends laterally in a closed path to demarcate the device region. A first source/drain region and a second source/drain region are in the device region and laterally spaced. A sidewall of the first source/drain region directly contacts the isolation structure at a first isolation structure sidewall, and remaining sidewalls of the first source/drain region are spaced from the isolation structure. A selectively-conductive channel is in the device region, and extends laterally from the first source/drain region to the second source/drain region. A plate comprises a central portion and a first peripheral portion. The central portion overlies the selectively-conductive channel, and the first peripheral portion protrudes from the central portion towards the first isolation structure sidewall.