VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT DURCHFÜHRUNG EINER PLASMABEHANDLUNG UND HALBLEITERBAUELEMENT

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Durchführen (S100) einer Plasmabehandlung einer freiliegenden Oberfläche eines Halbleitermaterials (100) mit Halogenen und das Durchführen (S120) eines Diffusionsverfahrens mit Dotierstoffen an der freiliegenden Oberfläche. The in...

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Main Authors Biebersdorf, Andreas, Sundgren, Petrus, Klemp, Christoph, Illek, Stefan, Pietzonka, Ines
Format Patent
LanguageGerman
Published 09.04.2020
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Durchführen (S100) einer Plasmabehandlung einer freiliegenden Oberfläche eines Halbleitermaterials (100) mit Halogenen und das Durchführen (S120) eines Diffusionsverfahrens mit Dotierstoffen an der freiliegenden Oberfläche. The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising performing a plasma treatment of an exposed surface of a semiconductor material with halogens, and carrying out a diffusion method with dopants on the exposed surface.
Bibliography:Application Number: DE201810124576