System, Steuerverfahren und Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren

• Main Authors: Hu, Hsiang-Chu, Tseng, Yu-Chin, Huang, Chun-Hai, Chen, Chien-Chih, Cheng, Mu-Han, Chen, Tzu-Shin
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 29.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

Es werden in der vorliegenden Anmeldung ein System, ein Steuerverfahren und eine Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren (CMP) vorgestellt. Die CMP-Vorrichtung kann ein Polierkissen, einen ersten Sensor, einen Polierkopf und einen Konditionierer umfasst. Das Polierkissen weist mehrere Rillen auf, die willkürlich oder in einer bestimmten Struktur angeordnet sind. Der erste Sensor ist konfiguriert, um das Kissenprofil des Polierkissens zu messen, wobei das Kissenprofil die Tiefe von jeder der Rillen auf dem Polierkissen umfasst. Der Polierkopf und der Konditionierer werden gemäß mindestens einer Polierbedingung betrieben und die mindestens eine Polierbedingung ist gemäß dem Kissenprofil angepasst. A system, a control method and an apparatus for chemical mechanical polishing (CMP) are introduced in the present application. The CMP apparatus may include a polishing pad, a first sensor, a polishing head and a condition. The polishing pad has a plurality of groves arranged randomly or in a specific pattern. The first sensor is configured to measure the pad profile of the polishing pad, where the pad profile includes the depth of each of the grooves on the polishing pad. The polishing head and the conditioner are operated according to at least one polishing condition, and the at least one polishing condition is tuned according to the pad profile.