SOCKELENTFERNUNG IN METALLSCHNITTVERFAHREN

• Main Authors: Huang, Ming-Chi, Chuang, Ying-Liang, Huang, Kuo-Bin, Yeh, Ming-Hsi
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 04.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren umfasst Bilden eines Gate-Stapels, welcher einen ersten Abschnitt über einem Abschnitt einer ersten Halbleiterfinne, einen zweiten Abschnitt über einem Abschnitt einer zweiten Halbleiterfinne und einen dritten Abschnitt umfasst, welcher den ersten Abschnitt mit dem zweiten Abschnitt verbindet. Es wird ein anisotropes Ätzen auf dem dritten Abschnitt des Gate-Stapels durchgeführt, um eine Öffnung zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt zu bilden. Nach dem anisotropen Ätzen bleibt ein Sockelabschnitt des dritten Abschnitts zurück. Das Verfahren umfasst ferner Durchführen eines isotropen Ätzens, um einen Metall-Gate-Abschnitt des Sockelabschnitts zu entfernen, und Füllen der Öffnung mit einem Dielektrikumsmaterial. A method includes forming a gate stack, which includes a first portion over a portion of a first semiconductor fin, a second portion over a portion of a second semiconductor fin, and a third portion connecting the first portion to the second portion. An anisotropic etching is performed on the third portion of the gate stack to form an opening between the first portion and the second portion. A footing portion of the third portion remains after the anisotropic etching. The method further includes performing an isotropic etching to remove a metal gate portion of the footing portion, and filling the opening with a dielectric material.