Halbleiterkonstruktion

• Main Authors: Chen, Hsien-Wei, Chen, Ying-Ju, Chen, Jie
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 28.03.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird eine Halbleiterkonstruktion mit einem isolierenden Verkapselungsstoff, einem ersten Halbleiter-Die, einem zweiten Halbleiter-Die und einer Umverdrahtungsschicht bereitgestellt. Der erste und der zweite Halbleiter-Die [Lakune] in den isolierenden Verkapselungsstoff eingebettet und voneinander getrennt. Der erste Halbleiter-Die weist eine zugänglich freigelegte erste aktive Fläche und einen ersten Leitungsanschluss auf, der an der ersten aktiven Fläche verdrahtet ist. Der zweite Halbleiter-Die weist eine zugänglich freigelegte zweite aktive Fläche und einen zweiten Leitungsanschluss auf, der an der zweiten aktiven Fläche verdrahtet ist. Die Umverdrahtungsschicht mit einer Leiterbahn ist auf der ersten und der zweiten aktiven Fläche und dem isolierenden Verkapselungsstoff angeordnet. Die Leiterbahn ist elektrisch mit dem ersten Halbleiter-Die verbunden und windet sich zu dem zweiten Halbleiter-Die hin, und ein Verhältnis einer Gesamtlänge der Leiterbahn zur oberen Breite des isolierenden Verkapselungsstoffs reicht von etwa 3 bis etwa 10. A manufacturing method of a semiconductor structure includes covering first and second semiconductor dies with an insulating encapsulant. The first semiconductor die includes an active surface accessibly exposed by the insulating encapsulant and a first conductive terminal distributed at the active surface. The second semiconductor die includes an active surface accessibly exposed by the insulating encapsulant and a second conductive terminal distributed at the active surface. A redistribution circuit layer is formed on the insulating encapsulant and the active surfaces of the first and second semiconductor dies. A conductive trace of the redistribution circuit layer is electrically connected from the first semiconductor die and meanderingly extends to the second semiconductor die, and a ratio of a total length of the conductive trace to a top width of the insulating encapsulant between the first and second semiconductor dies ranges from about 3 to about 10.