VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER SCHICHT BEI ATMOSPHÄRENDRUCK

• Main Authors: Zehner, Sigurd Volker, Simon, Daniel Kai, Horn, Andre, Hannemann, Ullrich, Fiedler, Olaf
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 27.02.2020
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

Ein Verfahren zum Abscheiden einer Schicht umfasst ein Messen einer physikalischen Eigenschaft, die mit einem Luftdruck in einer Reaktorkammer (450) einer Abscheidungsvorrichtung (400) zusammenhängt. Ein Haupt-Gasgemisch (100), das ein Quellengas (110) und ein Hilfsgas (120) aufweist, wird bei Atmosphärendruck in die Reaktorkammer (450) eingeführt, wobei das Quellengas (110) ein Precursor-Material (112) und ein Trägergas (114) enthält. Ein Gasstrom von zumindest einem des Quellengases (110) und des Hilfsgases (120) in die Reaktorkammer (450) wird als Antwort auf eine Änderung des Luftdrucks in der Reaktorkammer (450) gesteuert. A method of depositing a layer includes measuring a physical property that is related to an air pressure in a reactor chamber of a deposition apparatus. A main gas mixture including a source gas and an auxiliary gas is introduced into the reactor chamber at atmospheric pressure, the source gas including a precursor material and a carrier gas. A gas flow of at least one of the source gas and the auxiliary gas into the reactor chamber is controlled in response to a change of the air pressure in the reactor chamber.