Elektrostatische Haltevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

• Main Authors: Halm, Simon, Ziegenhagen, Lars
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 09.01.2020
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOTDIRECTED TO A PARTICULAR RESULT; CRYSTAL GROWTH; DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g.ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; HAND TOOLS; MACHINE TOOLS; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OFPARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; MANIPULATORS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; METALLURGY; PERFORMING OPERATIONS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FORFASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING; TRANSPORTING; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Eine Haltevorrichtung 100 zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils 1, insbesondere eines Siliziumwafers, umfasst einen plattenförmigen Grundkörper 10 mit einer Vielzahl von vorstehenden Noppen 11, deren Stirnflächen 12 eine Noppenauflage-Ebene für das Bauteil 1 aufspannen, und eine Elektrodeneinrichtung 20, die schichtförmig in Abständen zwischen den Noppen 11 angeordnet ist und eine Kunststoff-Isolatorschicht 21, die mit dem Grundkörper 10 verbunden ist, eine Elektrodenschicht 22 und eine Dielektrikumsschicht 23 aufweist, wobei die Elektrodenschicht 22 zwischen der Isolatorschicht 21 und der Dielektrikumsschicht 23 angeordnet ist, wobei zwischen der Noppenauflage-Ebene und einer Oberseite der Dielektrikumsschicht 23 ein vorbestimmter Spaltabstand A eingestellt ist, und die Dielektrikumsschicht 23 ein anorganisches Dielektrikum umfasst und mindestens teilweise in die Isolatorschicht 21 eingebettet ist. Es werden auch Verfahren zur Herstellung einer Haltevorrichtung 100 zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils 1, insbesondere eines Siliziumwafers, beschrieben. Holding apparatus 100 for electrostatic holding of component 1, in particular a silicon wafer, includes plate-type base body 10 with plurality of projecting burls 11, the front surfaces 12 of which span a burl support plane for component 1, and electrode device 20 arranged in layered form in spacings between burls 11 and has plastic insulating layer 21 connected with base body 10, electrode layer 22 and dielectric layer 23, whereby electrode layer 22 is arranged between insulating layer 21 and dielectric layer 23, whereby a predetermined gap spacing A is set between the burl support plane and a top side of dielectric layer 23, and dielectric layer 23 includes an inorganic dielectric and is embedded at least in part into insulating layer 21. Methods for producing holding apparatus 100 for electrostatic holding of component 1, in particular a silicon wafer, are also described.