Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren für einen Halbleiterlaser

• Main Authors: Ali, Muhammad, Eichler, Christoph, Lell, Alfred, Gerhard, Sven
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 19.12.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), in der sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet. Ein Stegwellenleiter (3) ist als Erhebung aus der Halbleiterschichtenfolge (2) heraus gestaltet. Eine elektrische Kontaktschicht (5) befindet sich direkt am Stegwellenleiter (3). Ein metallischer elektrischer Anschlussbereich (6) befindet sich direkt an der Kontaktschicht (5) und ist zum externen elektrischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet. Eine metallische Brechbeschichtung (7) reicht direkt bis an Facetten (27) der Halbleiterschichtenfolge (2) heran und befindet sich an dem Stegwellenleiter (3). Die Brechbeschichtung (7) ist elektrisch funktionslos und weist eine niedrigere Schallgeschwindigkeit für eine Bruchwelle auf, als die Halbleiterschichtenfolge (2) im Bereich des Stegwellenleiters (3). A semiconductor laser (1) is provided that includes a semiconductor layer sequence in which an active zone for generating laser radiation is located. A ridge waveguide is formed as an elevation from the semiconductor layer sequence. An electrical contact layer is located directly on the ridge waveguide. A metallic electrical connection region is located directly on the contact layer and is configured for external electrical connection of the semiconductor laser. A metallic breakage coating extends directly to facets of the semiconductor layer sequence and is arranged on the ridge waveguide. The breakage coating is electrically functionless and includes comprises a lower speed of sound for a breaking wave than the semiconductor layer sequence in the region of the ridge waveguide.