HALBLEITERLASERDIODE, LASERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE

• Main Authors: Ali, Muhammad, Eichler, Christoph, Lell, Alfred, Gerhard, Sven
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 20.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Halbleiterlaserdiode (2) mit:- einer Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb Laserstrahlung von einer Facette aussendet, und- einer ersten Passivierungsschicht (11), wobei- die Halbleiterschichtenfolge (3) einen Stegwellenleiter (5) aufweist, der eine Deckfläche (7) und daran angrenzende Seitenflächen (6) aufweist,- die erste Passivierungsschicht (11) die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) und Bereiche einer zurückgesetzten Außenfläche (4) der Halbleiterschichtenfolge (3), die seitlich des Stegwellenleiters (5) angeordnet sind, bereichsweise bedeckt,- die Seitenflächen (6) des Stegwellenleiters (5) und die zurückgesetzte Außenfläche (4) der Halbleiterschichtenfolge (3) bereichsweise frei von der ersten Passivierungsschicht (11) sind, und- die freien Seitenflächen des Stegwellenleiters (5) und die zurückgesetzte Außenfläche (4) der Halbleiterschichtenfolge (3) strukturelle und/oder chemische Veränderungen aufweisen, die durch eine Erzeugung des Stegwellenleiters und durch eine Entfernung der ersten Passivierungsschicht (11) erzeugt sind und elektrisch isolierend ausgebildet sind. The invention relates to a semiconductor laser diode (2) having: - a semiconductor layer sequence (3), which emits laser radiation from a facet during operation, and - a first passivation layer (11), wherein - the semiconductor layer sequence (3) has a ridge waveguide (5), which has a top surface (7) and lateral surfaces (6) adjoining thereto, - the first passivation layer (11) covers some regions of the lateral surfaces (6) of the ridge waveguide (5), and - the lateral surfaces (6) of the ridge waveguide (5) are free of the first passivation layer (11) in some regions. The invention also relates to a laser component and a method for producing a semiconductor laser diode.