HALBLEITERVORRICHTUNG

• Main Authors: Senoo, Masaru, Miyata, Masanori
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 23.08.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Eine erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung umfasst: ein Halbleitersubstrat; eine obere Hauptelektrode, die oberhalb des Halbleitersubstrats gelegen ist; eine Tastanodenelektrode, die oberhalb des Halbleitersubstrats gelegen ist; eine erste Widerstandsschicht, die oberhalb des Halbleitersubstrats gelegen ist, die einen größeren spezifischen Widerstand als die spezifischen Widerstände der oberen Hauptelektrode und der Tastanodenelektrode aufweist, und die die obere Hauptelektrode und die Tastanodenelektrode verbindet; und einer unteren Hauptelektrode, die unterhalb des Halbleitersubstrats gelegen ist. Das Halbleitersubstrat umfasst ein Schaltbauelement und eine Tastdiode. Das Schaltbauelement ist zwischen der oberen Hauptelektrode und der unteren Hauptelektrode verbunden. Die Tastdiode umfasst ein zu der Tastanodenelektrode verbundenes erstes p-Anodengebiet sowie ein zu der unteren Hauptelektrode verbundenes erstes n-Kathodengebiet. A semiconductor device provided herein includes: a semiconductor substrate; an upper main electrode located above the semiconductor substrate; a sense anode electrode located above the semiconductor substrate; a first resistance layer located above the semiconductor substrate, having resistivity higher than resistivities of the upper main electrode and the sense anode electrode, and connecting the upper main electrode and the sense anode electrode; and a lower main electrode located below the semiconductor substrate. The semiconductor substrate includes a switching element and a sense diode. The switching element is connected between the upper main electrode and the lower main electrode. The sense diode includes a p-type first anode region connected to the sense anode electrode and an n-type first cathode region connected to the lower main electrode.