Verbindungsstruktur und Verfahren

• Main Authors: Yu, Chen-Hua, Chen, Hsien-Wei, Chen, Ying-Ju, Hu, Chih-Chia, Chen, Ming-Fa
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 04.07.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Vorrichtung, umfassend:eine Verbindungsstruktur (108) über einem Substrat (102), wobei die Verbindungsstruktur (108) eine erste Metallleitung (112) und eine zweite Metallleitung (112) umfasst, wobei die erste Metallleitung (112) länger als die zweite Metallleitung (112) ist;eine Oberflächen-Dielektrikumsschicht (114) über der Verbindungsstruktur (108);mehrere erste Durchkontaktierungen (120) in der Oberflächen-Dielektrikumsschicht (114);ein erstes Bondpad (122B) in der Oberflächen-Dielektrikumsschicht (114), wobei das erste Bondpad (122B) über die mehreren ersten Durchkontaktierungen (120) mit einem ersten Ende (112A) der ersten Metallleitung (112) verbunden ist;mehrere zweite Durchkontaktierungen (120) in der Oberflächen-Dielektrikumsschicht (114);ein zweites Bondpad (122B) in der Oberflächen-Dielektrikumsschicht (114), wobei das zweite Bondpad (122B) und das erste Bondpad (122B) voneinander getrennt sind, wobei das zweite Bondpad (122B) über die mehreren zweiten Durchkontaktierungen (120) mit einem zweiten Ende (112B) der ersten Metallleitung (112) verbunden ist; undein drittes Bondpad (122A) in der Oberflächen-Dielektrikumsschicht (114), wobei das dritte Bondpad (122A) über eine dritte Durchkontaktierung (120) mit der zweiten Metallleitung (112) verbunden ist. In an embodiment, a device includes: an interconnect structure over a substrate, the interconnect structure including a first metal line and a second metal line, the first metal line longer than the second metal line; a surface dielectric layer over the interconnect structure; a plurality of first vias in the surface dielectric layer; a first bonding pad in the surface dielectric layer, where the first bonding pad is connected to a first end of the first metal line through the first vias; a plurality of second vias in the surface dielectric layer; a second bonding pad in the surface dielectric layer, the second bonding pad and the first bonding pad separate from each other, where the second bonding pad is connected to a second end of the first metal line through the second vias; and a third bonding pad in the surface dielectric layer, where the third bonding pad is connect to the second metal line through a third via.