FINFET-BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN

• Main Authors: Li, Chung-Ting, Wu, Bi-Fen, Chang, Chih-Hao, Lu, Jen-Hsiang
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 18.11.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren, umfassend:Bilden (212) einer Finne (16, 32, 34, 56), welche sich über einer Isolationszone (14, 42, 54) erstreckt;Bilden (214) eines Opfer-Gate-Stapels (70, 70A) über der Finne (16, 32, 34, 56), wobei der Opfer-Gate-Stapel (70, 70A) eine erste Seitenwand und eine zweite Seitenwand gegenüber der ersten Seitenwand aufweist;Bilden einer ersten Abstandhalterschicht (80A) über einer oberen Fläche und entlang der ersten Seitenwand und der zweiten Seitenwand des Opfer-Gate-Stapels (70, 70A);Bilden (216) eines ersten Abstandhalters (82) an der ersten Seitenwand des Opfer-Gate-Stapels (70, 70A);Bilden (216) eines zweiten Abstandhalters (82) an der zweiten Seitenwand des Opfer-Gate-Stapels (70, 70A); wobei das Bilden des ersten und des zweiten Abstandhalters (82) umfasst:Bilden einer zweiten Abstandhalterschicht (80B) über der ersten Abstandhalterschicht (80A); undEntfernen horizontaler Abschnitte der zweiten Abstandhalterschicht (80B), wobei zurückbleibende Abschnitte der zweiten Abstandhalterschicht (80B) den ersten Abstandhalter (82) und den zweiten Abstandhalter (82) bilden;Bilden (218) einer strukturierten Maskenschicht (74) mit einer Öffnung darin über dem Opfer-Gate-Stapel (70, 70A) und dem ersten Abstandhalter (82), wobei sich die strukturierte Maskenschicht (74) entlang einer oberen Fläche und einer Seitenwand des ersten Abstandhalters (82) erstreckt, wobei die strukturierte Maskenschicht (74) Abschnitte der ersten Abstandhalterschicht (80A) bedeckt, die während des Bildens der Abstandhalter (82) frei gelegt werden, und wobei der zweite Abstandhalter (82) durch die Öffnung in der strukturierten Maskenschicht (74) frei liegt;Strukturieren (220) der Finne (16, 32, 34, 56) unter Verwendung der strukturierten Maskenschicht (74), des Opfer-Gate-Stapels (70, 70A) und des zweiten Abstandhalters (82) als eine kombinierte Maske, um eine Aussparung (76, 78) in der Finne (16, 32, 34, 56) zu bilden; undepitaxiales Anwachsen (222) einer Source/Drain-Zone (22, 24, 44, 46, 84, 86) in der Aussparung (76, 78). A method includes forming a fin extending above an isolation region. A sacrificial gate stack having a first sidewall and a second sidewall opposite the first sidewall is formed over the fin. A first spacer is formed on the first sidewall of the sacrificial gate stack. A second spacer is formed on the second sidewall of the sacrificial gate stack. A patterned mask having an opening therein is formed over the sacrificial gate stack, the first spacer and the second spacer. The patterned mask extends along a top surface and a sidewall of the first spacer. The second spacer is exposed through the opening in the patterned mask. The fin is patterned using the patterned mask, the sacrificial gate stack, the first spacer and the second spacer as a combined mask to form a recess in the fin. A source/drain region is epitaxially grown in the recess.