FINFET-BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN

• Main Authors: Li, Chung-Ting, Wu, Bi-Fen, Chang, Chih-Hao, Lu, Jen-Hsiang
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 31.10.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren umfasst Bilden einer Finne, welche sich über einer Isolationszone erstreckt. Über der Finne wird ein Opfer-Gate-Stapel gebildet, welcher eine erste Seitenwand und eine zweite Seitenwand gegenüber der ersten Seitenwand aufweist. An der ersten Seitenwand des Opfer-Gate-Stapels wird ein erster Abstandhalter gebildet. An der zweiten Seitenwand des Opfer-Gate-Stapels wird ein zweiter Abstandhalter gebildet. Über dem Opfer-Gate-Stapel, dem ersten Abstandhalter und dem zweiten Abstandhalter wird eine strukturierte Maske mit einer Öffnung darin gebildet. Die strukturierte Maske erstreckt sich entlang einer oberen Fläche und einer Seitenwand des ersten Abstandhalters. Der zweite Abstandhalter liegt durch die Öffnung in der strukturierten Maske frei. Die Finne wird unter Verwendung der strukturierten Maske, des Opfer-Gate-Stapels, des ersten Abstandhalters und des zweiten Abstandhalters als eine kombinierte Maske strukturiert, um eine Aussparung in der Finne zu bilden. In der Aussparung lässt man eine Source/Drain-Zone epitaxial anwachsen. A method includes forming a fin extending above an isolation region. A sacrificial gate stack having a first sidewall and a second sidewall opposite the first sidewall is formed over the fin. A first spacer is formed on the first sidewall of the sacrificial gate stack. A second spacer is formed on the second sidewall of the sacrificial gate stack. A patterned mask having an opening therein is formed over the sacrificial gate stack, the first spacer and the second spacer. The patterned mask extends along a top surface and a sidewall of the first spacer. The second spacer is exposed through the opening in the patterned mask. The fin is patterned using the patterned mask, the sacrificial gate stack, the first spacer and the second spacer as a combined mask to form a recess in the fin. A source/drain region is epitaxially grown in the recess.