Optoelektronisches Bauteil

• Main Authors: Morgott, Stefan, Schnabel, Wolfgang
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 04.04.2019
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BLASTING; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; HEATING; INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21Sand F21V, RELATING TO THEFORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THELIGHT EMITTED; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATINGELEMENTS; LIGHTING; MECHANICAL ENGINEERING; NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; SEMICONDUCTOR DEVICES; WEAPONS

Es wird ein optoelektronisches Bauteil (10) angegeben mit:- einem ersten Halbleiterchip (11),- einem zweiten Halbleiterchip (12),- einem dritten Halbleiterchip (13), und- einem vierten Halbleiterchip (14), wobei- die vier Halbleiterchips (11, 12, 13, 14) auf einem Träger (15) angeordnet sind,- der erste Halbleiterchip (11) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer dominanten Wellenlänge von mindestens 610 nm und höchstens 650 nm zu emittieren,- der zweite Halbleiterchip (12) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einer dominanten Wellenlänge von mindestens 450 nm und höchstens 475 nm zu emittieren,- der dritte Halbleiterchip (13) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit Farbraumkoordinaten von 0,3231 ± 0,005 und 0,5408 ± 0,005 im CIE Farbraum zu emittieren, und- der vierte Halbleiterchip (14) dazu ausgelegt ist im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit Farbraumkoordinaten von 0,5638 ± 0,005 und 0,4113 ± 0,005 im CIE Farbraum zu emittieren. The invention relates to an optoelectronic component (10 comprising a first semiconductor chip (11), a second semiconductor chip (12), a third semiconductor chip (13) and a fourth semiconductor chip (14), wherein the four semiconductor chips (11, 12, 13, 14) are arranged on a substrate (15), and the first semiconductor chip (11) is designed to emit electromagnetic radiation with a dominant wavelength of min. 610 nm and max. 650 nm during operation, the second semiconductor chip (12) is designed to emit electromagnetic radiation with a dominant wavelength of min. 450 nm and max. 475 nm during operation, the third semiconductor chip (13) is designed to emit electromagnetic radiation with colour space coordinates of 0.3231 ±0.005 and 0.5408 ±0.005 in the CIE colour space during operation, and the fourth semiconductor chip (14) is designed to emit electromagnetic radiation with colour space coordinates of 0.5638 ±0.005 and 0.4113 ±0.005 in the CIE colour space during operation.