Strahlungsdetektierendes Halbleiterbauelement

• Main Authors: Schulze, Jörg, Steglich, Martin, Schmelz, David, Oehme, Michael
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 29.11.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein strahlungsdetektierendes Halbleiterbauelement (10) angegeben, umfassend- ein Siliziumsubstrat (1), das eine Oberflächenstruktur (3) aufweist, wobei die Oberflächenstruktur (3) einer Strahlungseintrittsfläche (5) des Halbleiterbauelements (10) zugewandt ist und sich mindestens bis in eine Tiefe von 100 nm in das Siliziumsubstrat (1) hinein erstreckt, und- eine laterale Anordnung von Detektorpixeln (2) auf einer der Strahlungseintrittsfläche (5) gegenüberliegenden Vorderseite (6) des Siliziumsubstrats (1), wobei die Detektorpixel (2) jeweils eine strahlungsabsorbierende Schicht (8) umfassen und zur Absorption von Strahlung mit einer Wellenlänge von mehr als 1100 nm geeignet sind. The invention relates to a radiation-detecting semiconductor element (10) comprising: a silicon substrate (1) having a surface structure (3), the surface structure (3) facing a radiation incident face (5) of the semiconductor component (10) and extending into the silicon substrate (1) at least to a depth of 100 nm; and a lateral arrangement of detector pixels (2) on a front side (6) of the silicon substrate (1), located opposite the radiation incident face (5), the detector pixels (2) respectively comprising a radiation-absorbent layer (8) and being suitable for absorbing radiation having a wavelength of more than 1100 nm.