Verfahren zum Herstellen einer P-Kanal-FET-Vorrichtung mit einem SiGe-Kanal

• Main Authors: Moll, Hans-Peter, Baars, Peter
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 27.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, umfassend ein Bereitstellen eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Wafers umfassend eine erste Halbleiterschicht mit einer ersten Materialkomponente, die auf einer vergrabenen Oxid(BOX)-Schicht gebildet ist, und ein Bilden eine...