Verfahren zum Herstellen einer P-Kanal-FET-Vorrichtung mit einem SiGe-Kanal

• Main Authors: Moll, Hans-Peter, Baars, Peter
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 27.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt, umfassend ein Bereitstellen eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Wafers umfassend eine erste Halbleiterschicht mit einer ersten Materialkomponente, die auf einer vergrabenen Oxid(BOX)-Schicht gebildet ist, und ein Bilden eines Kanalbereichs einer P-Kanal-Transistorvorrichtung, umfassend ein Bilden einer zweiten Halbleiterschicht lediglich über einem ersten Gebiet der ersten Halbleiterschicht, wobei die zweite Halbleiterschicht die erste Materialkomponente und eine von der ersten Materialkomponente verschiedene zweite Materialkomponente umfasst, ein Bilden einer Öffnung in der ersten Halbleiterschicht außerhalb des ersten Gebiets, und ein nachfolgendes Durchführen eines thermischen Ausheizens, um die zweite Materialkomponente aus der zweiten Halbleiterschicht in die erste Halbleiterschicht zu treiben. A method of forming a semiconductor device is provided including providing a semiconductor-on-insulator (SOI) wafer comprising a first semiconductor layer comprising a first material component and formed on a buried oxide (BOX) layer, and forming a channel region of a P-channel transistor device, including forming a second semiconductor layer only over a first portion of the first semiconductor layer, wherein the second semiconductor layer comprises the first material component and a second material component different from the first material component, forming an opening in the first semiconductor layer outside the first portion and subsequently performing a thermal anneal to push the second material component from the second semiconductor layer into the first semiconductor layer.