Selbstausrichtender Kontakt und Herstellungsverfahren dafür

Es werden eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Ausbilden der Halbleitervorrichtung offenbart. Ein Opferfilm wird zum Strukturieren eines Kontakts zu einer Halbleiterstruktur verwendet, wie zum Beispiel eines Kontakts zu einer Source/Drain-Region eines Transistors. Der Kontakt kann ein ve...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors Yeh, Jeng-Ya David, Yeh, Chih Chieh, Lee, Tung Ying, Yeo, Yee-Chia, Chiu, Yuan-Hung, Liu, Chi-Wen
Format Patent
LanguageGerman
Published 21.12.2017
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:Es werden eine Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zum Ausbilden der Halbleitervorrichtung offenbart. Ein Opferfilm wird zum Strukturieren eines Kontakts zu einer Halbleiterstruktur verwendet, wie zum Beispiel eines Kontakts zu einer Source/Drain-Region eines Transistors. Der Kontakt kann ein verjüngtes Profil entlang einer Achse parallel zu der Gate-Elektrode enthalten, dergestalt, dass eine äußerste Breite des Kontakts in dem Maße abnimmt, wie sich der Kontakt von der ersten Source/Drain-Region fort erstreckt.
Bibliography:Application Number: DE201610125144