VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER HALBLEITEREINRICHTUNG

• Main Authors: Take, Naoya, Kadoguchi, Takuya
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 19.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitereinrichtung (50), die ein erstes Bauteil (10) und ein zweites Bauteil (20), das mit dem ersten Bauteil verbunden ist, enthält, wobei das Verfahren aufweist:a) Herstellen von (Cu,Ni)6Sn5auf einer Ni-Schicht, die auf dem ersten Bauteil (12) gebildet ist, durch Schmelzen eines ersten Sn-Cu-Lötmittels (14), das 0,9 Gew.-% oder mehr Cu enthält, auf der Ni-Schicht des ersten Bauteils;b) Herstellen von (Cu,Ni)6Sn5auf einer Ni-Schicht, die auf dem zweiten Bauteil (22) gebildet ist, durch Schmelzen eines zweiten Sn-Cu-Lötmittels (24), das 0,9 Gew.-% oder mehr Cu enthält, auf der Ni-Schicht des zweiten Bauteils;c) Verbinden des ersten Bauteils und des zweiten Bauteils miteinander durch Schmelzen des ersten Sn-Cu-Lötmittels, das dem Schritt a) unterzogen wurde, und des zweiten Sn-Cu-Lötmittels, das dem Schritt b) unterzogen wurde, sodass das erste Sn-Cu-Lötmittel und das zweite Sn-Cu-Lötmittel ganzheitlich werden. A method of manufacturing a semiconductor device which includes a first member and a second member joined to the first member includes: a) producing (Cu,Ni)6Sn5 on a Ni film formed on the first member by melting a first Sn-Cu solder containing 0.9 wt % or higher of Cu on the Ni film of the first member; b) producing (Cu,Ni)6Sn5 on a Ni film formed on the second member by melting a second Sn-Cu solder containing 0.9 wt % or higher of Cu on the Ni film of the second member; and c) joining the first member and the second member to each other by melting the first Sn-Cu solder having undergone step a) and the second Sn-Cu solder having undergone step b) so that the first Sn-Cu solder and the second Sn-Cu solder become integrated.