Verfahren zur Spacer- und Mandrell-Strukturierung

• Main Authors: Chen, Chao-Cheng, Lin, Yu Chao, Yang, Yu-Lung, Lee, Chun-Hung
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 12.08.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren, umfassend:Bilden von Mandrell-Strukturen (208') über einer Strukturierungsschicht (204, 206, 208) über einem Substrat (202); undBilden einer Spacer-Schicht (216) über der Strukturierungsschicht (204, 206, 208), über den Mandrell-Strukturen (208'), und an Seitenwänden der Mandrell-Strukturen (208');Beschneiden (110) der Spacer-Schicht (216) unter Verwendung einer Trockenätztechnik, damit ein Raum zwischen benachbarten Seitenwänden der Spacer-Schicht (216) im Wesentlichen einer Abmessung der Mandrell-Strukturen (208') entlang einer Strukturbreitenrichtung entspricht;Ätzen (108) der Spacer-Schicht (216), um die Mandrell-Strukturen (208') und die Strukturierungsschicht (204, 206, 208) freizulegen, was zu einer strukturierten Spacer-Schicht (216) an den Seitenwänden der Mandrell-Strukturen (208') führt; undEntfernen der Mandrell-Strukturen (208') nach dem Beschneiden (110) der Spacer-Schicht (216) und dem Ätzen (108) der Spacer-Schicht (216), wobei das Beschneiden (110) der Spacer-Schicht (216) vor dem Ätzen (108) der Spacer-Schicht (216) vorgenommen wird. A method includes forming mandrel patterns over a substrate; depositing a spacer layer over the mandrel patterns and onto sidewalls of the mandrel patterns; trimming the spacer layer to reduce a thickness of the spacer layer along a pattern width direction; and etching the spacer layer to expose the mandrel patterns, resulting in a patterned spacer layer on the sidewalls of the mandrel patterns. The trimming of the spacer layer and the etching of the spacer layer are performed in separate processes. After the trimming of the spacer layer and the etching of the spacer layer, the method further includes removing the mandrel patterns.