EIN HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERBAUELEMENTEN

• Main Authors: Hellmund, Oliver, Baumgartl, Johannes, Engelhardt, Manfred, Muri, Ingo, Moder, Iris
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 12.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Verfahren (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800) zum Bilden einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, das Verfahren umfassend:Bilden (110) einer Mehrzahl von Gräben, die sich von einer ersten lateralen Oberfläche eines Halbleiterwafers in Richtung einer zweiten lateralen Oberfläche des Halbleiterwafers erstrecken;Füllen (120) von zumindest einem Abschnitt der Mehrzahl von Gräben mit Füllmaterial;Bilden von zumindest einem Teil von zumindest einer elektrischen Struktur eines Halbleiterbauelements in einer Halbleiterchipregion der Mehrzahl von Halbleiterchipregionen (205) nach dem Füllen von zumindest dem Abschnitt der Mehrzahl von Gräben (201) mit Füllmaterial (207);Dünnen (130) des Halbleiterwafers von der zweiten lateralen Oberfläche des Halbleiterwafers, um einen gedünnten Halbleiterwafer zu bilden;Bilden (140) einer Rückseitenmetallisierungsschichtstruktur auf einer Mehrzahl von Halbleiterchipregionen des Halbleiterwafers nach dem Dünnen des Halbleiterwafers, wobei die Mehrzahl von Halbleiterchipregionen des Halbleiterwafers zwischen der Mehrzahl von Gräben angeordnet ist, wobei ein Abschnitt der Rückseitenmetallisierungsschichtstruktur eine Elektrodenstruktur der zumindest einen elektrischen Struktur bildet; undIndividualisieren (150) der Halbleiterchipregionen des Halbleiterwafers durch Entfernen von zumindest einem Teil des Füllmaterials aus der Mehrzahl von Gräben nach dem Bilden der Rückseitenmetallisierungsschichtstruktur, um die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen zu erhalten. A method for forming a plurality of semiconductor devices includes forming a plurality of trenches extending from a first lateral surface of a semiconductor wafer towards a second lateral surface of the semiconductor wafer. The method further includes filling a portion of the plurality of trenches with filler material. The method further includes thinning the semiconductor wafer from the second lateral surface of the semiconductor wafer to form a thinned semiconductor wafer. The method further includes forming a back side metallization layer structure on a plurality of semiconductor chip regions of the semiconductor wafer after thinning the semiconductor wafer. The method further includes removing a part of the filler material from the plurality of trenches after forming the back side metallization layer structure to obtain the plurality of semiconductor devices.