Kontaktanordnung und Verfahren zu Herstellung der Kontaktanordnung

• Main Authors: Mueller, Immanuel, Orso, Steffen
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 06.10.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die Erfindung bezieht sich auf eine Kontaktanordnung zumindest eines Halbleiterbauelementes, insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement. Dabei weist ein elektrischer Anschluss des Halbleiterbauelementes eine Metallisierung aus Al oder einer Al-Legierung auf. Ferner ist der elektrische Anschluss mit zumindest einem Draht- oder Bändchenbond aus Cu oder einer Cu-Legierung verbunden. Zwischen dem zumindest einen elektrischen Anschluss und dem Draht- oder Bändchenbond ist ein Kontaktelement angeordnet, welches mit einer Unterseite mit dem elektrischen Anschluss und mit einer Oberseite mit dem Draht- oder Bändchenbond verbunden ist. Das Kontaktelement weist zudem zumindest zwei angrenzende Schichten auf, wobei die Unterseite aus einer Schicht aus Al oder einer Al-Legierung gebildet ist und das Kontaktelement zumindest eine weitere Schicht aus Cu oder einer Cu-Legierung, aus Ag- oder einer Ag-Legierung und/oder aus Ni oder einer Ni-Legierung umfasst. The invention relates to a contact arrangement of at least one semiconductor component (10), in particular a power semiconductor component. According to the invention, an electrical connection (15.2) of the semiconductor component (10) has a metal coating made of Al or an Al alloy. Furthermore, the electrical connection is connected to at least one wire bond or ribbon bond (40) made of Cu or a Cu alloy. A contact element (30), a bottom side (31) of which is connected to the electrical connection (15.2) and a top side (32) of which is connected to the wire bond or ribbon bond (40), is located between the at least one electrical connection (15.2) and the wire bond or ribbon bond (40). The contact element additionally has at least two adjoining layers (30.1, 30.2), the bottom side (31) being formed by an Al or Al alloy layer (30.1), and the contact element (30) comprising at least one other layer (30.2) made of Cu or a Cu alloy, Ag or an Ag alloy, and/or Ni or a Ni alloy.