Kontakte für stark skalierte Transistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung

• Main Authors: Diaz, Carlos H, Wu, Chung-Cheng, Lien, Wai-Yi, Leung, Ying-Keung, Lin, Chun-Hsiung, Wang, Chih-Hao, Colinge, Jean-Pierre, Chang, Chia-Hao
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 17.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Halbleitervorrichtung mit:einem Substrat (102),ersten und zweiten S/D-Bereichen (104a)einem Kanal (104b) zwischen dem ersten und zweiten S/D-Bereich (104a),einem Gate (108), das am Kanal (104b) angreift, undeinem Kontaktmerkmal (118), das mit dem ersten S/D-Bereich (104a) verbindet, wobei:das Kontaktmerkmal (118) eine erste Kontaktschicht (114) und eine zweite Kontaktschicht (116) über der ersten Kontaktschicht (114) umfasst,die erste Kontaktschicht (114) ein konformes Querschnittsprofil aufweist unddie erste Kontaktschicht (114) auf mindestens zwei Seiten des ersten S/D-Bereichs (104a) in Kontakt mit dem ersten S/D-Bereich (104a) ist oder den ersten S/D-Bereich (104a) umhüllt,wobei die erste Kontaktschicht (114) eines von InAs, InGaAs, InP und Ge umfasst. A semiconductor device and methods of forming the same are disclosed. The semiconductor device includes a substrate, first and second source/drain (S/D) regions, a channel between the first and second S/D regions, a gate engaging the channel, and a contact feature connecting to the first S/D region. The contact feature includes first and second contact layers. The first contact layer has a conformal cross-sectional profile and is in contact with the first S/D region on at least two sides thereof. In embodiments, the first contact layer is in direct contact with three or four sides of the first S/D region so as to increase the contact area. The first contact layer includes one of a semiconductor-metal alloy, an III-V semiconductor, and germanium.