Verfahren zur Herstellung von Grabenisolationsbereichen und integrierte Schaltkreisstruktur mit Grabenisolationsbereichen

• Main Authors: Lai, Chih-Yu, Tseng, Hsiao-Hui, Chou, Cheng-Hsien, Chou, Shih Pei, Chiang, Yen-Ting
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 20.02.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren mit den folgenden Schritten:Durchführen einer anisotropen Ätzung an einem Halbleitersubstrat (20), um einen Graben (28) herzustellen, wobei der Graben (28) vertikale Seitenwände (32) und einen gerundeten Boden aufweist, der mit den vertikalen Seitenwänden verbunden ist;Durchführen eines Schadensbeseitigungsschritts, um eine Oberflächenschicht des Halbleitersubstrats (20) zu entfernen, wobei die Oberflächenschicht zu dem Graben (28) hin freiliegt, wobei der gerundete Boden des Grabens (28) so geätzt wird, dass eine geneigte gerade Bodenfläche (32B) entsteht;Herstellen einer dielektrischen Schicht (44), die bis in den Graben (28) reicht; undnachdem die dielektrische Schicht (44) hergestellt worden ist, Füllen eines Metalls (42) in einen verbleibenden Teil des Grabens (28). A method includes performing an anisotropic etching on a semiconductor substrate to form a trench. The trench has vertical sidewalls and a rounded bottom connected to the vertical sidewalls. A damage removal step is performed to remove a surface layer of the semiconductor substrate, with the surface layer exposed to the trench. The rounded bottom of the trench is etched to form a slant straight bottom surface. The trench is filled to form a trench isolation region in the trench.