Geformtes Flipchip-Halbleitergehäuse

Ein geformtes Flipchip-Halbleitergehäuse umfasst einen Leiterrahmen mit gegenüberliegender erster und zweiter Hauptoberfläche, einer ersten Metallisierung auf der ersten Hauptoberfläche, einer zweiten Metallisierung auf der zweiten Hauptoberfläche, vertieften Regionen, die sich von der ersten Haupto...

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Main Authors NG, MEI CHIN, LEE, SWEE KAH, FANG, CHEE HONG
Format Patent
LanguageGerman
Published 18.02.2016
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Summary:Ein geformtes Flipchip-Halbleitergehäuse umfasst einen Leiterrahmen mit gegenüberliegender erster und zweiter Hauptoberfläche, einer ersten Metallisierung auf der ersten Hauptoberfläche, einer zweiten Metallisierung auf der zweiten Hauptoberfläche, vertieften Regionen, die sich von der ersten Hauptoberfläche in Richtung der ersten Hauptoberfläche erstrecken, sowie voneinander beabstandeten Anschlüssen, die zwischen Spalten in der ersten Metallisierung chemisch in den Leiterrahmen geätzt werden. Das Gehäuse umfasst ferner einen Halbleiter-Nacktchip, der eine Vielzahl von Kontaktstellen, die den Anschlüssen des Leiterrahmens zugewandt und an diesen befestigt sind, eine erste Formmasse, welche die vertieften Regionen füllt, und eine zweite Formmasse umfasst, die den Halbleiter-Nacktchip umgibt und den Zwischenraum zwischen den Anschlüssen füllt, sodass die zweite Formmasse an die erste Formmasse angrenzt. A ist die Gesamtdicke des Leiterrahmens, B ist der Abstand zwischen angrenzenden der Anschlüsse, und B/A < 1. A molded flip-chip semiconductor package includes a leadframe having opposing first and second main surfaces, a first metallization on the first main surface, a second metallization on the second main surface, recessed regions which extend from the second main surface toward the first main surface, and spaced apart leads chemically etched into the leadframe between gaps in the first metallization. The package further includes a semiconductor die having a plurality of pads facing and attached to the leads of the leadframe, a first molding compound that fills the recessed regions, and a second molding compound that encases the semiconductor die and fills the space between the leads such that the second molding compound abuts the first molding compound. A is the overall thickness of the leadframe, B is the spacing between adjacent ones of the leads, and B/A<1.
Bibliography:Application Number: DE201510113287