Verfahren und Struktur für eine Strukturierung mit Dorn und Abstandshalter

• Main Authors: Peng, Chih-Hsiung, Fu, Shih-Chi, Chang, Chi-Kang, Wang, Chung-Ming, Chen, Kuei-Shun
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 29.06.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren, das Folgendes umfasst: Empfangen eines IC-Design-Layouts, wobei das IC-Design-Layout einen ersten Layout-Block und einen zweiten Layout-Block umfasst, der erste Layout-Block eine erste Leitungsstruktur umfasst, die der Länge nach in einer ersten Richtung ausgerichtet ist, der zweite Layout-Block eine zweite Leitungsstruktur umfasst, die der Länge nach in der ersten Richtung ausgerichtet ist, und der erste und der zweite Layout-Block durch einen ersten Raum getrennt sind; Hinzufügen einer Dummy-Struktur zu dem ersten Raum, wobei die Dummy-Struktur die erste und die zweite Leitungsstruktur verbindet; und Ausgeben eines Dornstrukturlayouts und eines Schnittstrukturlayouts in einem computerlesbaren Format, wobei das Dornstrukturlayout die erste und die zweite Leitungsstruktur und die Dummy-Struktur umfasst, und wobei das Schnittstrukturlayout eine Struktur umfasst, die dem ersten Raum entspricht. A method includes forming a first mandrel pattern and a second mandrel pattern. The first mandrel pattern includes at least first and second mandrels for a mandrel-spacer double patterning process. The second mandrel pattern includes at least a third mandrel inserted between the first and second mandrels. The first mandrel pattern and the second mandrel pattern include a same material. The first and second mandrels are merged together with the third mandrel to form a single pattern.